이장치는 프라즈마 바이어스 CVD법에 의한 성막 기술 개발에 널리 사용하도록 개발된 시험용 장비입니다. 평행평판형의 전극간에 고주파를 인가하여프라즈마를 발생합니다. 전극의 위치를 교체하여 Etching과 CVD를 동시에 사용할 수 있으며 기판홀다에는 Heater및 냉각수가 설치되어 있습니다.

용도 : 프라즈마 CVD 각종성막 실험용

성막방법 : 평행평판형

기판홀다 : 기판가열 (MAX 500℃ ) 높이조절,회전

전극 : 가스 노즐

배기계 : 고진공계 - RP,Turbo / 저진공계 - MBP,RP

RF전원 : 13.56 MHz

가스 : 5개 MFC

압력조절 : APC

본 장치는 과거의 고온 CVD의 가장 큰 문제점중의 하나인 소재의 온도가 수백 내지 1000℃이상 가열되어 소재의 열충격, 열응력, 변형등의 문제를 해결한 플라즈마 응용장치로 특히 섬유 응용가공에 최적합합니다.

원리 : 반응가스가 저압플라즈마 방전중에 도입되어 저온 CVD 처리로 Dissociation, Ionization과 기체상 반응과정등으로 증착된다. 또한 유기가스물질이 유기중합체로 형성되며 이 과정은 분자질량이 큰 물질이 기판상에 응축되면 Plasma 성분이 다른 물질에 의해 충격되고 서로 결합하여 Radical을 형성함으로써 이루어집니다.

CVD